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BD139

更新时间： 2024-02-29 17:21:00

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页数	文件大小	规格书
3页	73K
描述
SILICON PLANAR EPITAXIAL POWER TRANSISTORS

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BD139 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SIP
包装说明：	TO-126, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.09
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	190 MHz	Base Number Matches：	1

BD139 数据手册

NPN BD135 – BD137 – BD139

SILICON PLANAR EPITAXIAL POWER TRANSISTORS.

The BD135-BD137-BD139 are NPN Transistors

They are recommended for driver stages in hi-fi amplifiers and television circuits.

They are mounted in Jedec TO-126 plastic package.

PNP complements are BD136-BD138-BD140.

Compliance to RoHS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

BD135

BD137

BD139

BD135

BD137

BD139

BD135

BD137

BD139

100

V_CBO

Collector-Base Voltage (I_E= 0)

V_CEO

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

V_CER

Collector-Emitter Voltage (R_BE= 1 kΩ)

100

V_EBO

I_C

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

1.5

0.5

I_C

I_CM

I_B

P_T

T_J

Base current

Total power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

_mb= 70°C

°C

150

-65 to +150

T_Stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Value

Unit

R_thJ-c

R_thJ-a

Thermal Resistance, Junction-Case

Thermal Resistance, Junction-ambient in free air

100

°C/W

25/09/2012

27/08/201225/09/2012

COMSET SEMICONDUCTORS

1 | 3

12 3

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