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BD13810S PDF预览

BD13810S

更新时间： 2024-11-11 19:25:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 40K
描述
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

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BD13810S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.74最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：63JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：13 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：75 MHzBase Number Matches：1

BD13810S 数据手册

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BD136/138/140  
Medium Power Linear and Switching  
Applications  
•
Complement to BD135, BD137 and BD139 respectively  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
: BD136  
: BD138  
: BD140  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
CBO  
: BD136  
: BD138  
: BD140  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
CEO  
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
- 5  
- 1.5  
V
A
EBO  
I
I
C
- 3.0  
A
CP  
B
I
- 0.5  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
12.5  
W
W
°C  
°C  
C
C
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.25  
C
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: BD136  
: BD138  
: BD140  
I = - 30mA, I = 0  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
C
B
I
I
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= - 30V, I = 0  
- 0.1  
- 10  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
E
V
= - 5V, I = 0  
C
EB  
h
h
h
V
V
V
= - 2V, I = - 5mA  
25  
25  
40  
FE1  
FE2  
FE3  
CE  
CE  
CE  
C
= - 2V, I = - 0.5A  
C
= - 2V, I = - 150mA  
250  
- 0.5  
- 1  
C
V
V
(sat)  
(on)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter ON Voltage  
I = - 500mA, I = - 50mA  
V
V
CE  
C
B
V
= - 2V, I = - 0.5A  
BE  
CE  
C
* Pulse Test: PW=350µs, duty Cycle=2% Pulsed  
h
Classificntion  
FE  
Classification  
6
10  
16  
100 ~ 250  
h
40 ~ 100  
63 ~ 160  
FE3  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD13810STU ROCHESTER

获取价格

 		1.5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
BD13810STU ONSEMI

获取价格

 		1.5 A, 60 V PNP Bipolar Power Junctions Transistor
BD13816 FAIRCHILD

获取价格

 		Medium Power Linear and Switching Applications
BD138-16 NXP

获取价格

 		PNP power transistors
BD138-16 UTC

获取价格

 		Transistor
BD138-16 CDIL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti
BD138-16 CENTRAL

获取价格

 		60V,1.5A,1.25W Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/S
BD138-16-BP MCC

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 		Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti
BD138-16-BP-HF MCC

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 		Power Bipolar Transistor,
BD13816S ONSEMI

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 		1.5 A, 60 V PNP Bipolar Power Junctions Transistor

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