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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 19 weeks | 风险等级： | 1.08 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 12.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BD13810STU | ONSEMI |
类似代替  |
1.5 A, 60 V PNP Bipolar Power Junctions Transistor |
|
| MJE180STU | ONSEMI |
类似代替 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor, 1920-TUBE |
|
| MJE13007G | ONSEMI |
功能相似 |
NPN Bipolar Power Transistor For Switching Power Supply Applications |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD138-25 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
|
| BD1386 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Medium Power Linear and Switching Applications |
|
| BD138-6 | INFINEON |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTORS |
|
| BD138-6 | CDIL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti |
|
| BD138-6-BP | MCC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti |
|
| BD138-6-BP-HF | MCC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
|
| BD1386STU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti |
|
| BD138G | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor |
|
| BD138G-06-T60-K | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
|
| BD138G-10-T100-K | UTC |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTOR |
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