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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.58 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 13 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 75 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD138-6-BP | MCC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti |
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| BD138-6-BP-HF | MCC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
|
| BD1386STU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti |
|
| BD138G | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor |
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| BD138G-06-T60-K | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
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| BD138G-10-T100-K | UTC |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTOR |
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| BD138G-10-T60-K | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti |
|
| BD138G-10-TM3-T | UTC |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTOR |
|
| BD138G-16-AA3-R | UTC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
|
| BD138G-16-T160-K | UTC |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTOR |
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