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BD138L-6-T60-K

更新时间： 2024-11-02 07:09:15

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友顺 - UTC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	132K
描述
PNP SILICON TRANSISTOR

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BD138L-6-T60-K 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SIP	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.58
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BD138L-6-T60-K 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

BD136-138-140

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

PNP SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION

The UTC BD136/BD138/BD140 are silicon epitaxial planer PNP

transistor, designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing

complementary or quasi complementary circuits.

TO-251

The complementary NPN types are the BD135/BD137/ BD139.

TO-126

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Lead Free

Halogen Free

BD136L-x-T60-K

BD138L-x-T60-K

BD140L-x-T60-K

BD136L-x-TM3-T

BD138L-x-TM3-T

BD140L-x-TM3-T

BD136G-x-T60-K

BD138G-x-T60-K

BD140G-x-T60-K

BD136G-x-TM3-T

BD138G-x-TM3-T

BD140G-x-TM3-T

TO-126

TO-251

Bulk

Tube

Note: Pin Assignment: E: Emitter C: Collector B: Base

www.unisonic.com.tw

1 of 3

QW-R204-013.Ca

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BD138L-6-TM3-T	UTC	获取价格	PNP SILICON TRANSISTOR
BD138LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti
BD139	MOTOROLA	获取价格	Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
BD139	ONSEMI	获取价格	POWER TRANSISTORS NPN SILICON
BD139	INFINEON	获取价格	NPN SILICON TRANSISTORS
BD139	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
BD139	CENTRAL	获取价格	NPN SILICON TRANSISTOR
BD139	UTC	获取价格	NPN POWER TRANSISTORS
BD139	TGS	获取价格	Complementary Silicon Power Ttransistors
BD139	MCC	获取价格	Power Transistors NPN Silicon 45,60,80 Volts