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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.3 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 63 | JEDEC-95代码： | TO-243AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | AEC-Q101; IEC-60134 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 145 MHz |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BCX51-10 | NEXPERIA |
功能相似  |
45 V, 1 A PNP medium power transistorProduction |
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| BCX53-16,115 | NXP |
功能相似 |
80 V, 1 A PNP medium power transistor SOT-89 3-Pin |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCX53-10,115 | ETC |
获取价格 |
TRANS PNP 80V 1A SOT89 |
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| BCX53-10,135 | NXP |
获取价格 |
80 V, 1 A PNP medium power transistor SOT-89 3-Pin |
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| BCX53-10/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-243AA, PLASTIC, TO-243, SC-62, 3 PIN, |
|
| BCX53-10-AK | ZETEX |
获取价格 |
SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
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| BCX53-10E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BCX5310E6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
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| BCX53-10E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| BCX5310H6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| BCX53-10LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| BCX53-10T | NEXPERIA |
获取价格 |
80 V, 1 A PNP power bipolar transistorsProduction |
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