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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.67 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 基于收集器的最大容量： | 4.5 pF | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN (315) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCW89D87Z | TI |
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PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
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| BCW89L99Z | TI |
获取价格 |
PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
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| BCW89LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO |
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| BCW89-Q | NEXPERIA |
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60 V, 100 mA PNP general purpose transistorProduction |
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| BCW89R | STMICROELECTRONICS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-236 |
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| BCW89RTA | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BCW89R-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| BCW89R-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| BCW89RTC | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BCW89S62Z | TI |
获取价格 |
PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
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