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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.12 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | CECC |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCW89-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BCW89-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BCW89TC | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BCW89TR | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| BCW89TR13 | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| BCW89TR13LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| BCW89TRL | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BCW89TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BCW89TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BCW89TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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