BCW68H

更新时间： 2024-09-16 22:48:19

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管开关光电二极管
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2页	124K
描述
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

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BCW68H 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.58	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	250
湿度敏感等级：	1	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BCW68H 数据手册

BCW 67, BCW 68

PNP

General Purpose Transistors

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

PNP

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

±0.1

Plastic case

SOT-23

1.1

2.9

0.4

Kunststoffgehäuse

(TO-236)

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions / Maße in mm

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BCW 67

BCW 68

45 V

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (DC)

B open

E open

C open

- V_CE0

- V_CB0

- V_EB0

P_tot

32 V

45 V

60 V

5 V

250 mW ¹)

800 mA

1000 mA

100 mA

200 mA

150ꢀC

- I_C

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom - I_CM

Base current – Basis-Spitzenstrom

- I_B

- I_BM

T_j

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_S

- 65…+ 150ꢀC

Characteristics (T_j= 25ꢀC)

Kennwerte (T_j= 25ꢀC)

Min.

Typ.

Max.

Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom

I_E= 0, - V_CB= 32 V

I_E= 0, - V_CB= 32 V, T_j= 150ꢀC

I_E= 0, - V_CB= 45 V

I_E= 0, - V_CB= 45 V, T_j= 150ꢀC

- I_CB0

–

20 nA

20 ꢀA

20 nA

20 ꢀA

BCW 67

- I_CB0

BCW 68

Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom

I_C= 0, - V_EB= 4 V

- I_EB0

–

20 nA

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

01.11.2003

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与BCW68H相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BCW68H_11	MCC	获取价格	PNP Small Signal Transistor 330mW
BCW68HBK	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BCW68HBKLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BCW68H-DH	DIODES	获取价格	SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
BCW68HE6327	ROCHESTER	获取价格	800mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCW68HE6327HTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BCW68HE6433	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BCW68HR	ZETEX	获取价格	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
BCW68HR-7N	DIODES	获取价格	SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
BCW68HRTA	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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