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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.57 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 基于收集器的最大容量： | 5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 32 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 180 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCW61BTA | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BCW61BTC | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BCW61BTF | SAMSUNG |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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| BCW61BTI | SAMSUNG |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
|
| BCW61BTR | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| BCW61BTR13 | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| BCW61BTR13LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| BCW61BTRL | NXP |
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暂无描述 |
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| BCW61BTRL | YAGEO |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BCW61BTRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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