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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.57 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 32 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 180 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.25 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCW61BTRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| BCW61C | TYSEMI |
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PNP Epitaxial Silicon Transistor Collector-Base Voltage VCBO -32 V |
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| BCW61C | RECTRON |
获取价格 |
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP) |
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| BCW61C | KEXIN |
获取价格 |
General Purpose Transistor |
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| BCW61C | SECOS |
获取价格 |
-0.1A , -32V PNP Plastic Encapsulated Transistor |
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| BCW61C | SAMSUNG |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
|
| BCW61C | NXP |
获取价格 |
PNP general purpose transistors |
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| BCW61C | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
|
| BCW61C | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP general purpose transistorsProduction |
|
| BCW61C | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain) |
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