5秒后页面跳转
BCW61BTRL13 PDF预览

BCW61BTRL13

更新时间: 2024-09-13 15:28:31
品牌 Logo 应用领域
国巨 - YAGEO /
页数 文件大小 规格书
3页 129K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

BCW61BTRL13 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.57最大集电极电流 (IC):0.2 A
集电极-发射极最大电压:32 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):180JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):180 MHz
VCEsat-Max:0.25 VBase Number Matches:1

BCW61BTRL13 数据手册

 浏览型号BCW61BTRL13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BCW61BTRL13的Datasheet PDF文件第3页 

与BCW61BTRL13相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BCW61BTRLEADFREE CENTRAL

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BCW61C TYSEMI

获取价格

PNP Epitaxial Silicon Transistor Collector-Base Voltage VCBO -32 V
BCW61C RECTRON

获取价格

SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP)
BCW61C KEXIN

获取价格

General Purpose Transistor
BCW61C SECOS

获取价格

-0.1A , -32V PNP Plastic Encapsulated Transistor
BCW61C SAMSUNG

获取价格

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
BCW61C NXP

获取价格

PNP general purpose transistors
BCW61C FAIRCHILD

获取价格

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
BCW61C NEXPERIA

获取价格

PNP general purpose transistorsProduction
BCW61C INFINEON

获取价格

PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain)