是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.55 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC): | 0.2 A |
集电极-发射极最大电压: | 32 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 100 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | PNP | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 100 MHz | 最大关闭时间(toff): | 800 ns |
最大开启时间(吨): | 150 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BCW61-C | INFINEON |
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200mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | |
BCW61C,215 | ETC |
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TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 | |
BCW61C,235 | ETC |
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TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 | |
BCW61C/E8 | VISHAY |
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Transistor | |
BCW61C/E9 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 | |
BCW61C/T1 | ETC |
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TRANSISTOR | |
BCW61C/T3 | NXP |
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TRANSISTOR 200 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SST3, SMD, 3 PIN, BIP | |
BCW61CBK | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, | |
BCW61CBKLEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, | |
BCW61CD87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |