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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BCW61BTR
BCW61BTR PDF预览

BCW61BTR

更新时间： 2024-11-21 13:05:55
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 125K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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BCW61BTR 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.01
其他特性：LOW NOISE基于收集器的最大容量：4.5 pF
集电极-发射极最大电压：32 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：180JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：180 MHz
VCEsat-Max：0.55 VBase Number Matches：1

BCW61BTR 数据手册

 浏览型号BCW61BTR的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
BCW61B  
BCW61C  
BCW61D  
Central  
Semiconductor Corp.  
DESCRIPTION:  
SURFACE MOUNT  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BCW61B  
Series types are PNP Silicon Transistors  
manufactured by the epitaxial planar process,  
epoxy molded in a surface mount package,  
designed for low level, low noise applications.  
PNP SILICON TRANSISTOR  
MARKING CODES: BCW61B : BB  
BCW61C : BC  
BCW61D : BD  
SOT-23 CASE  
MAXIMUM RATINGS (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
V
V
V
32  
32  
5.0  
100  
350  
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
V
I
mA  
C
P
mW  
D
T ,T  
J stg  
-65 to +150  
357  
°C  
°C/W  
Thermal Resistance  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
CES  
CES  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
20  
UNITS  
nA  
µA  
V
I
I
V
V
=32V  
CE  
=32V, T =150°C  
20  
CE  
A
BV  
BV  
I =2.0mA  
32  
5.0  
CEO  
C
I =1.0µA  
V
EBO  
E
V
V
V
V
V
I =10mA, I =250µA  
0.25  
0.55  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
C
B
I =50mA, I =1.25mA  
V
C
B
I =10mA, I =250µA  
0.60  
0.68  
0.60  
0.85  
V
C
B
I =50mA, I =1.25mA  
1.05  
V
C
B
V
=5.0V, I =2.0mA  
0.75  
V
CE  
CB  
CE  
CC  
CC  
C
C
V
V
V
V
=10V, I =0, f=1.0MHz  
6.0  
pF  
ob  
C
NF  
t
t
=5.0V, I =0.2mA, R =2.0kΩ, f=1.0kHz, BW=200Hz  
6.0 dB  
150  
C
S
=10V, I =10mA, R =990Ω, I =I =1.0mA  
ns  
ns  
on  
C
L
B1 B2  
B1 B2  
=10V, I =10mA, R =990Ω, I =I =1.0mA  
800  
on  
C
L
BCW61B  
BCW61C  
BCW61D  
MIN  
MAX  
MIN  
MAX  
MIN  
MAX  
h
h
h
h
V
V
V
V
=5.0V, I =10µA  
30  
140  
80  
40  
100  
380  
100  
350  
FE  
FE  
FE  
fe  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
=5.0V, I =2.0mA  
310  
250  
100  
250  
460  
630  
C
=1.0V, I =50mA  
C
=5.0V, I =2.0mA, f=1.0kHz  
175  
350  
500  
700  
C
R1 (20-February 2003)  
12

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与BCW61BTR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BCW61BTR13 CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BCW61BTR13LEADFREE CENTRAL

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BCW61BTRL NXP

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 		暂无描述
BCW61BTRL YAGEO

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BCW61BTRL13 YAGEO

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BCW61BTRLEADFREE CENTRAL

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BCW61C TYSEMI

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 		PNP Epitaxial Silicon Transistor Collector-Base Voltage VCBO -32 V
BCW61C RECTRON

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BCW61C SECOS

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 		-0.1A , -32V PNP Plastic Encapsulated Transistor

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