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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.01 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE | 基于收集器的最大容量： | 4.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 32 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 180 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN (315) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz | VCEsat-Max： | 0.55 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCW61BTRL | NXP |
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暂无描述 |
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| BCW61BTRL | YAGEO |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BCW61BTRL13 | YAGEO |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BCW61BTRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| BCW61C | TYSEMI |
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PNP Epitaxial Silicon Transistor Collector-Base Voltage VCBO -32 V |
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| BCW61C | RECTRON |
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SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP) |
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| BCW61C | KEXIN |
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General Purpose Transistor |
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| BCW61C | SECOS |
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-0.1A , -32V PNP Plastic Encapsulated Transistor |
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| BCW61C | SAMSUNG |
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PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| BCW61C | NXP |
获取价格 |
PNP general purpose transistors |
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