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Datasheet > 晶体管 > 其他晶体管> BCW61B-T
BCW61B-T PDF预览

BCW61B-T

更新时间： 2024-11-18 13:05:55
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 294K
描述
Transistor

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BCW61B-T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.58JESD-609代码：e3
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

BCW61B-T 数据手册

 浏览型号BCW61B-T的Datasheet PDF文件第2页 
RECTRON  
TECHNICAL SPECIFICATION  
SEMICONDUCTOR  
BCW61B  
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS  
TRANSISTOR(PNP)  
FEATURES  
*
Power dissipation  
SOT-23  
COLLECTOR  
3
MECHANICAL DATA  
* Case: Molded plastic  
0.055(1.40)  
BASE  
1
0.047(1.20)  
* Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
2
EMITTER  
0.006(0.15)  
0.003(0.08)  
0.043(1.10)  
0.035(0.90)  
* Weight: 0.008 gram  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
0.004(0.10)  
0.000(0.00)  
0.100(2.55)  
0.089(2.25)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
1
2
0.019(2.00)  
0.071(1.80)  
0.118(3.00)  
0.110(2.80)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25OC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase , half wave, 60HZ, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
3
Dimensions in inches and (millimeters)  
o
MAXIMUM RATINGS ( @ TA = 25 C unless otherwise noted )  
CHARACTERISTICS  
Collector-emitter voltage  
SYMBOL  
VALUE  
-32  
UNITS  
V
CBO  
V
V
V
CEO  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
-32  
V
-5  
V
EBO  
I
Collector current-continuous  
Power dissipation  
-0.1  
A
C
PC  
0.25  
W
o
Junction and storage temperature  
TJ ,Tstg  
-55 - 150  
C
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( @ TA = 25 C unless otherwise noted )  
TYP  
-
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
MIN  
-32  
MAX  
-
UNITS  
V
V
V
Collector-base breakdown voltage (I = -10µA, I =0)  
(BR)CBO  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
V
V
C
E
-
-
-
-
-
-32  
-5  
-
Collector-emitter breakdown voltage (I = -1mA, I =0)  
C
B
V
Emitter-base breakdown voltage (I = -10µA, I =0)  
E
C
I
-0.02  
-0.02  
µA  
Collector cut-off current (V = -32V, I =0)  
CBO  
CB  
E
I
-
-
-
-
-
-
Collector cut-off current (V = -4V, I =0)  
EBO  
-
µA  
EB  
C
-
-
DC current gain (V = -5V, I = -10µA)  
30  
CE  
C
-
310  
h
FE  
DC current gain (V = -5V, I = -2mA)  
180  
80  
CE  
C
-
-
DC current gain (V = -1V, I = -50mA)  
CE  
C
Collector-emitter saturation voltage (I = -10mA, I = -0.25mA)  
-0.06  
-0.25  
V
V
V
V
C
B
V
CE(sat)  
Collector-emitter saturation voltage (I = -50mA, I = -1.25mA)  
C
B
-0.55  
-0.85  
-0.12  
-0.6  
-
-
Base-emitter saturation voltage (I = -10mA, I = -0.25mA)  
C
B
V
BE(sat)  
Base-emitter saturation voltage (I = -50mA, I = -1.25mA)  
C
B
-0.68  
-1.05  
-
Base-emitter voltage (V = -5V, I = -10µA)  
-0.55  
-
-
-0.6  
-
CE  
C
V
-0.75  
Base-emitter voltage (V = -5V, I = -2mA)  
V
V
V
CE  
C
BE(ON)  
Base-emitter voltage (V = -1V, I = -50mA)  
-0.72  
-
-
-
CE  
C
fT  
MH  
Z
Transition frequency (V = -5V, I = -10mA, f=100MHZ)  
100  
-
CE  
C
Cc  
Ce  
-
-
pF  
Collector capacitance (V = -10V, I = 0, f=1MHZ)  
4.5  
11  
CB  
E
pF  
Emitter capacitance (V = -0.5V, I = 0, f=1MHZ)  
EB  
C
-
Marking  
BB  
2006-3  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BCW61BT/R ETC

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