BCR135F

更新时间： 2024-02-16 18:21:35

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
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10页	492K
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NPN Silicon Digital Transistor

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BCR135F 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.42
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

BCR135F 数据手册

BCR135.../SEMH9

Permissible Puls Load R

SEMH9

= ƒ (t )

Permissible Pulse Load

P /P = ƒ(t )

totmax totDC

thJS

SEMH9

10 ³

K/W

10 ³

10 ²

10 ¹

10 ⁰

10 ^-1

10 ²

10 ¹

10 ⁰

D = 0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

D = 0

0.2

0.5

10 ^-710 ^-610 ^-510 ^-410 ^-310 ^-2

10 ⁰

10 ^-710 ^-610 ^-510 ^-410 ^-310 ^-2

10 ⁰

May-17-2004

1...7 8 910

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