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BCR139T-E6433

更新时间： 2024-11-25 21:17:27

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	555K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon

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BCR139T-E6433 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.8
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	最小直流电流增益 (hFE)：	120
元件数量：	1	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BCR139T-E6433 数据手册

BCR139...

NPN Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

• Built in bias resistor (R =22 kΩ)

BCR139F/L3

BCR139T

R₁

EHA07264

Type

Marking

WYs

Pin Configuration

Package

TSFP-3

TSLP-3-4

SC75

BCR139F

BCR139L3

BCR139T

1=B 2=E 3=C

WYs

Maximum Ratings

Parameter

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Input on voltage

Symbol

Value

Unit

CEO

CBO

EBO

i(on)

100

Collector current

Total power dissipation-

tot

BCR139F, T ≤ 128°C

250

BCR139L3, T ≤ 135°C

BCR139T, T ≤ 109°C

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

Mar-03-2005

12 3 4 5 6 7...10

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