BCR141E6327

更新时间： 2024-09-17 12:52:47

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英飞凌 - INFINEON		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
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NPN Silicon Digital Transistor

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BCR141E6327 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.97	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	130 MHz
Base Number Matches：	1

BCR141E6327 数据手册

BCR135...

NPN Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit

driver circuit

• Built in bias resistor (R =10 kΩ, R =47 kΩ)

• BCR135S: Two internally isolated

transistors with good matching

in one multichip package

• BCR135S: For orientation in reel see

package information below

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

BCR135

BCR135S

BCR135W

R₂

R₁

TR2

TR1

R₁

R₂

EHA07174

EHA07184

Type

BCR135

BCR135S

BCR135W

Marking

Pin Configuration

1=B 2=E 3=C

1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT363

Package

SOT23

WJs

1=B 2=E 3=C

SOT323

2011-08-19

12 3 4 5 6 7...11

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