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BCR139F-E6327

更新时间: 2024-11-22 04:14:35
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英飞凌 - INFINEON 晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 555K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon

BCR139F-E6327 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.8
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.1 A
最小直流电流增益 (hFE):120湿度敏感等级:1
元件数量:1极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.25 W子类别:BIP General Purpose Small Signal
表面贴装:YES晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BCR139F-E6327 数据手册

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BCR139...  
NPN Silicon Digital Transistor  
Switching circuit, inverter, interface circuit,  
driver circuit  
Built in bias resistor (R =22 k)  
1
BCR139F/L3  
BCR139T  
C
3
R1  
1
2
B
E
EHA07264  
Type  
Marking  
WYs  
WY  
Pin Configuration  
Package  
TSFP-3  
TSLP-3-4  
SC75  
BCR139F  
BCR139L3  
BCR139T  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
WYs  
Maximum Ratings  
Parameter  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Input on voltage  
Symbol  
Value  
50  
50  
Unit  
V
V
V
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
i(on)  
5
30  
100  
mA  
Collector current  
I
C
mW  
Total power dissipation-  
P
tot  
BCR139F, T 128°C  
250  
250  
250  
S
BCR139L3, T 135°C  
S
BCR139T, T 109°C  
S
150  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
j
T
-65 ... 150  
stg  
Mar-03-2005  
1

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