生命周期: | Transferred | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.38 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 1 A | 集电极-发射极最大电压: | 80 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 40 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | PNP |
功耗环境最大值: | 1.5 W | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 125 MHz |
VCEsat-Max: | 0.5 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BCP53F | ETC |
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BCP53/SOT223/SC-73 | |
BCP53H | NEXPERIA |
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80 V, 1 A PNP medium power transistors | |
BCP53H-Q | NEXPERIA |
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80 V, 1 A PNP medium power transistorsProduction | |
BCP53HX | ETC |
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TRANS PNP 80V 1A SC73 | |
BCP53L99Z | TI |
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PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-261 | |
BCP53M | INFINEON |
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PNP Silicon AF Transistor (For AF driver and output stages High collector current) | |
BCP53Q | DIODES |
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PNP, 80V, 1A, SOT223 | |
BCP53-Q | NEXPERIA |
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80 V, 1 A PNP medium power transistorsProduction | |
BCP53Q-HAF | SWST |
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功率三极管 | |
BCP53T | NXP |
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Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin |