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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.57 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | TO-261 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCP53M | INFINEON |
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PNP Silicon AF Transistor (For AF driver and output stages High collector current) |
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| BCP53Q | DIODES |
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PNP, 80V, 1A, SOT223 |
|
| BCP53-Q | NEXPERIA |
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80 V, 1 A PNP medium power transistorsProduction |
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| BCP53Q-HAF | SWST |
获取价格 |
功率三极管 |
|
| BCP53T | NXP |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin |
|
| BCP53T | NEXPERIA |
获取价格 |
80 V, 1 A PNP medium power transistors |
|
| BCP53T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-223 |
|
| BCP53T1 | MOTOROLA |
获取价格 |
MEDIUM POWER PNP SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT |
|
| BCP53T1 | ONSEMI |
获取价格 |
MEDIUM POWER PNP SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT |
|
| BCP53T1/D | ETC |
获取价格 |
PNP Epitaxial Transistor |
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