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BCP53M

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管驱动
页数	文件大小	规格书
4页	34K
描述
PNP Silicon AF Transistor (For AF driver and output stages High collector current)

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BCP53M 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-73
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	4 weeks
风险等级：	1.51	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	63
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	140 MHz
Base Number Matches：	1

BCP53M 数据手册

BCP 51M ... BCP 53M

PNP Silicon AF Transistor

• For AF driver and output stages

• High collector current

• Low collector-emitter saturation voltage

• Complementary types: BCP 54M...BCP 56M(NPN)

VPW05980

Type

Marking Ordering Code Pin Configuration

Package

BCP 51M AAs

BCP 52M AEs

BCP 53M AHs

Q62702-C2592 1 = B 2 = C 3 = E 4 n.c. 5 = C SCT-595

Q62702-C2593

Q62702-C2594

Maximum Ratings

Parameter

Symbol BCP 51M BCP 52M BCP 53M Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

DC collector current

Peak collector current

Base current

100

CEO

CBO

EBO

1.5

100

200

1.7

Peak base current

Total power dissipation, T ≤ 77 °C

tot

Junction temperature

Storage temperature

150

-65...+150

°C

stg

Thermal Resistance

Junction ambient

K/W

≤98

≤43

thJA

thJS

Junction - soldering point

1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 6cm Cu

Semiconductor Group

Au -11-1998

1998-11-01

Semiconductor Group

12 3 4

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与BCP53M相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BCP53Q	DIODES	获取价格	PNP, 80V, 1A, SOT223
BCP53-Q	NEXPERIA	获取价格	80 V, 1 A PNP medium power transistorsProduction
BCP53Q-HAF	SWST	获取价格	功率三极管
BCP53T	NXP	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
BCP53T	NEXPERIA	获取价格	80 V, 1 A PNP medium power transistors
BCP53T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| SOT-223
BCP53T1	MOTOROLA	获取价格	MEDIUM POWER PNP SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT
BCP53T1	ONSEMI	获取价格	MEDIUM POWER PNP SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT
BCP53T1/D	ETC	获取价格	PNP Epitaxial Transistor
BCP53T1G	ONSEMI	获取价格	PNP Silicon Epitaxial Transistors