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BCP53T

更新时间： 2024-10-01 21:08:55

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		/
页数	文件大小	规格书
22页	1115K
描述
Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin

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BCP53T 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.55
外壳连接：	COLLECTOR	配置：	SINGLE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	功耗环境最大值：	1.5 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BCP53T 数据手册

BCP53; BCX53; BC53PA

80 V, 1 A PNP medium power transistors

Rev. 9 — 19 October 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

PNP medium power transistor series in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages.

Table 1. Product overview

Type number^[1]

Package

NXP

NPN complement

JEITA

SC-73

SC-62

JEDEC

BCP53

BCX53

BC53PA

SOT223

SOT89

SOT1061

BCP56

BCX56

BC56PA

TO-243

[1] Valid for all available selection groups.

1.2 Features and benefits

 High current

 Three current gain selections

 High power dissipation capability

 Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity (SOT89, SOT1061)

 Leadless very small SMD plastic package with medium power capability (SOT1061)

 AEC-Q101 qualified

1.3 Applications

 Linear voltage regulators

 High-side switches

 Battery-driven devices

 Power management

 MOSFET drivers

 Amplifiers

1.4 Quick reference data

Table 2.

Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

80

1

Unit

V_CEO

I_C

collector-emitter voltage open base

collector current

I_CM

peak collector current

single pulse; t_p 1 ms

2

12 3 4 5 6 7...22

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与BCP53T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BCP53T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| SOT-223
BCP53T1	MOTOROLA	获取价格	MEDIUM POWER PNP SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT
BCP53T1	ONSEMI	获取价格	MEDIUM POWER PNP SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT
BCP53T1/D	ETC	获取价格	PNP Epitaxial Transistor
BCP53T1G	ONSEMI	获取价格	PNP Silicon Epitaxial Transistors
BCP53T3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| SOT-223
BCP53TA	DIODES	获取价格	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223
BCP53-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
BCP53-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
BCP53TC	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4