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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.01 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 420 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BC850BLT1G | ONSEMI |
功能相似  |
General Purpose Transistors |
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| BC850CLT1G | ONSEMI |
功能相似 |
General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC850-C | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO |
|
| BC850-C | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, |
|
| BC850C(SOT-23) | UTC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN |
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| BC850C,215 | ETC |
获取价格 |
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23 |
|
| BC850C,235 | ETC |
获取价格 |
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23 |
|
| BC850C/T1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR SMD KLEINSIGNAL UNIVERSAL |
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| BC850C/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI |
|
| BC850C-215 | NXP |
获取价格 |
NPN general purpose transistors |
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| BC850-C-AE3-R | UTC |
获取价格 |
SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION |
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| BC850-C-AL3-R | UTC |
获取价格 |
SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION |
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