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BC850CLT1 PDF预览

BC850CLT1

更新时间： 2024-11-19 22:54:03
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安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 96K
描述
General Purpose Transistors(NPN Silicon)

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BC850CLT1 数据手册

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BC846ALT1 Series  
BC846, BC847 and BC848 are Preferred Devices  
General Purpose  
Transistors  
NPN Silicon  
Features  
http://onsemi.com  
• Pb−Free Packages are Available  
• Moisture Sensitivity Level: 1  
COLLECTOR  
3
• ESD Rating − Human Body Model: >4000 V  
ESD Rating − Machine Model: >400 V  
1
BASE  
MAXIMUM RATINGS  
2
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
EMITTER  
Collector-Emitter Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
Vdc  
BC846  
65  
45  
30  
BC847, BC850  
BC848, BC849  
3
Collector−Base Voltage  
Vdc  
Vdc  
BC846  
BC847, BC850  
BC848, BC849  
80  
50  
30  
1
2
Emitter−Base Voltage  
SOT−23  
BC846  
BC847, BC850  
BC848, BC849  
6.0  
6.0  
5.0  
CASE 318  
STYLE 6  
Collector Current − Continuous  
I
C
100  
mAdc  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
MARKING DIAGRAM  
xxD  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR−5 Board,  
(Note 1)  
P
D
225  
mW  
xx  
D
= Specific Device Code  
= Date Code  
T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance,  
R
556  
q
JA  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
Junction−to−Ambient (Note 1)  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
Total Device Dissipation  
P
D
300  
mW  
Alumina Substrate (Note 2)  
T = 25°C  
A
Preferred devices are recommended choices for future use  
Derate above 25°C  
2.4  
mW/°C  
°C/W  
and best overall value.  
Thermal Resistance,  
R
417  
q
JA  
Junction−to−Ambient (Note 2)  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
J
stg  
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in 99.5% alumina.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
June, 2004 − Rev. 6  
BC846ALT1/D  
 
123456

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BC850CLT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC850CLT1G ONSEMI

完全替代

 General Purpose Transistors(NPN Silicon)

与BC850CLT1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC850CLT1G ONSEMI

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 		General Purpose Transistors(NPN Silicon)
BC850CLT3 MOTOROLA

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BC850CLT3 ONSEMI

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 		100mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
BC850CMTF ONSEMI

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BC850CMTF UTC

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BC850C-Q NEXPERIA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC850CR-TAPE-13 NXP

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 		TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
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