BC850CW

更新时间： 2024-11-17 22:54:03

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描述
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

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BC850CW 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.57	湿度敏感等级：	1
Base Number Matches：	1

BC850CW 数据手册

BC 846W ... BC 850W

NPN

General Purpose Transistors

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

NPN

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

Power dissipation – Verlustleistung

200 mW

SOT-323

±0.1

Plastic case

0.3

Kunststoffgehäuse

Type

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Code

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.3

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions / Maße in mm

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BC 846W

BC 847W

BC 848W

BC 850W

BC 849W

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (DC)

B open

E open

C open

V_CE0

V_CB0

V_EB0

P_tot

65 V

80 V

6 V

45 V

50 V

30 V

5 V

200 mW ¹)

100 mA

200 mA

I_C

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom I_CM

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

I_BM

- I_EM

T_j

150

ꢀC

T_S

- 65…+ 150 C

ꢀ

Characteristics (T_j= 25ꢀC)

Kennwerte (T_j= 25ꢀC)

Group A

Group B

Group C

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

V_CE= 5 V, I_C= 10

V_CE= 5 V, I_C= 2 mA

ꢀ

h_FE

typ. 90

110...220

typ. 150

200...450

typ. 270

420...800

h-Parameters at V_CE= 5V, I_C= 2 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain – Stromverstärkung h_fe

typ. 220

typ. 330

typ. 600

Input impedance – Eingangs-Impedanz

Output admittance – Ausgangs-Leitwert

h_ie

h_oe

1.6...4.5 k

ꢁ

3.2...8.5 k

ꢁ

6...15 k

60 < 110

ꢁ

18 < 30

ꢀ

30 < 60

ꢀ

Reverse voltage transfer ratio

Spannungsrückwirkung

h_re

typ.1.5 *10^-4

typ. 2 *10^-4

typ. 3 *10^-4

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

Tested with pulses t_p= 300 ꢀs, duty cycle ꢀ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 ꢀs, Schaltverhältnis ꢀ 2%

01.11.2003

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BC850CW 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC850CLT1G	ONSEMI	功能相似	General Purpose Transistors(NPN Silicon)

与BC850CW相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC850CW,115	ETC	获取价格	TRANS NPN 45V 0.1A SOT323
BC850CW,135	NXP	获取价格	BC849W; BC850W - NPN general purpose transistors SC-70 3-Pin
BC850CW/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-70, 3 PIN, BIP Gene
BC850CW-AU	PANJIT	获取价格	SOT-323
BC850CW-AU_A0_00001	PANJIT	获取价格	NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC850CW-AU_B0_00001	PANJIT	获取价格	NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC850CW-AU_F0_00001	PANJIT	获取价格	NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC850CW-AU_L0_00001	PANJIT	获取价格	NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC850CW-AU_R0_00001	PANJIT	获取价格	NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC850CW-AU_S0_00001	PANJIT	获取价格	NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS

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