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BC850G-B-AE3-R

更新时间： 2024-01-23 03:43:46

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描述
Small Signal Bipolar Transistor

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BC850G-B-AE3-R 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.57	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	Base Number Matches：	1

BC850G-B-AE3-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

BC846-BC850

NPN SILICON TRANSISTOR

SWITCHING AND AMPLIFIER

APPLICATION

FEATURES

* Suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits.

* Complement to BC856 … BC860

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Packing

Package

Lead Free

Halogen Free

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SOT-23

Tape Reel

SOT-23

SOT-323

SOT-523

www.unisonic.com.tw

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QW-R206-027,G

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