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BC850CLT1

更新时间： 2024-11-17 22:54:03

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乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	181K
描述
General Purpose Transistors(NPN Silicon)

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BC850CLT1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.25	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	420
最高工作温度：	150 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC850CLT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY,LTD.

General Purpose Transistors

NPN Silicon

BC846ALT1,BLT1

BC847ALT1,BLT1

CLT1 thru

MAXIMUM RATINGS

BC847

BC850

BC848

BC849

Rating

Symbol

V _CEO

V _CBO

V _EBO

I _C

BC846

Unit

BC850BLT1,CLT1

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

6.0

5.0

100

200

Collector Current — Continuous

Collector Current(Peak value)

Emitter Current(Peak value)

Base Current(Peak value)

100

200

100

mAdc

I _CM

200

I _EM

200

I _BM

200

SOLDERING CHARACTERISTICS

CASE 318–08, STYLE 6

SOT–23 (TO–236AB)

Characteristic

Symbol

265

Unit

°C

Solder Heat Resistance

Solderability

240 to 265

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

COLLECTOR

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)

T_A= 25°C

P_D

BASE

225

1.8

Derate above 25°C

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R_θJA

P_D

556

EMITTER

Alumina Substrate, (2) T_A= 25°C

Derate above 25°C

300

2.4

mW/°C

°C/W

°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R_θJA

417

T_J, T_stg

–55 to +150

DEVICE MARKING

BC846ALT1 = 1A; BC846BLT1 = 1B; BC847ALT1 = 1E; BC847BLT1 = 1F;

BC847CLT1 = 1G; BC848ALT1 = 1J; BC848BLT1 = 1K; BC848CLT1 = 1L

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I_C= 10 mA)

BC846A,B

6.0

5.0

—

BC847A,B,C, BC850B,C

BC848A,B,C, BC849B,C

BC846A,B

V_(BR)CEO

V_(BR)CES

V_(BR)CBO

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I_C= 10 µA, V_EB= 0)

BC847A,B,C, BC850B,C

BC848A,B,C, BC849B,C

Collector–Base Breakdown Voltage BC846A,B

(I_C= 10 µA)

BC847A,B,C, BC850B,C

BC848A,B,C, BC849B,C

BC846A,B BC847A,B,C

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I_E= 1.0 µA)

BC848A,B,C, BC849B,C,

BC850B,C

V_(BR)EBO

Collector Cutoff Current

(V_CB= 30 V)

(V_CB= 30 V, T_A= 150°C)

—

I_CBO

—

5.0

µA

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

M3–1/4

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC850CLT1G	ONSEMI	获取价格	General Purpose Transistors(NPN Silicon)
BC850CLT3	MOTOROLA	获取价格	100mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BC850CLT3	ONSEMI	获取价格	100mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
BC850CMTF	ONSEMI	获取价格	NPN Epitaxial Silicon Transistor
BC850CMTF	UTC	获取价格	NPN Epitaxial Silicon Transistor
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BC850CR	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC850CR-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
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