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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC847BPDW1T2G
BC847BPDW1T2G PDF预览

BC847BPDW1T2G

更新时间： 2024-02-26 20:01:58
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
17页 172K
描述
Dual General Purpose Transistors

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BC847BPDW1T2G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-88包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：0.85
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：4.5 pF
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN AND PNP最大功率耗散 (Abs)：0.38 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
VCEsat-Max：0.65 VBase Number Matches：1

BC847BPDW1T2G 数据手册

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BC846BPDW1T1G,  
BC847BPDW1T1G,  
BC848CPDW1T1G  
Dual General Purpose  
Transistors  
http://onsemi.com  
NPN/PNP Duals (Complementary)  
These transistors are designed for general purpose amplifier  
applications. They are housed in the SOT−363/SC−88 which is  
designed for low power surface mount applications.  
(3)  
(2)  
(1)  
Q
Features  
Q
1
2
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
(4)  
(5)  
(6)  
MAXIMUM RATINGS − NPN  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
MARKING  
DIAGRAM  
Collector-Emitter Voltage  
BC846  
BC847  
BC848  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
65  
45  
30  
V
6
1
Collector-Base Voltage  
BC846  
BC847  
BC848  
80  
50  
30  
V
SOT−363  
CASE 419B  
STYLE 1  
XX MG  
G
1
Emitter−Base Voltage  
6.0  
V
Collector Current − Continuous  
MAXIMUM RATINGS − PNP  
Rating  
I
100  
mAdc  
C
XX= Device Code  
M = Date Code  
G
= Pb−Free Package  
Symbol  
Value  
Unit  
(Note: Microdot may be in either location)  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
BC846  
BC847  
BC848  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
−65  
−45  
−30  
V
ORDERING INFORMATION  
†
BC846  
BC847  
BC848  
−80  
−50  
−30  
V
Device  
Mark Package  
Shipping  
BC846BPDW1T1G BB  
SOT−363  
(Pb−Free)  
3000 /  
Tape & Reel  
−5.0  
V
BC847BPDW1T1G  
SOT−363  
(Pb−Free)  
3000 /  
Tape & Reel  
BF  
Collector Current − Continuous  
I
C
−100  
mAdc  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommen-  
ded Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses  
above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
BC847BPDW1T2G BF  
SOT−363  
(Pb−Free)  
3000 /  
Tape & Reel  
BC848CPDW1T1G  
SOT−363  
(Pb−Free)  
3000 /  
Tape & Reel  
BL  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Total Device Dissipation  
Per Device  
P
D
380  
250  
mW  
FR−5 Board (Note 1) T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
3.0  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance,  
R
328  
q
JA  
Junction−to−Ambient  
Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to +150  
°C  
J
stg  
1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
October, 2010 − Rev. 6  
BC846BPDW1T1/D  
 
1234567...17

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BC847BPDW1T2G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC847BPDW1T3G ONSEMI

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 100 mA 45 V, Co-packaged NPN and PNP Bipolar Junction Transistor
UMZ1NT1G ONSEMI

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 Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor
BC847BPDW1T1G ONSEMI

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