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BC847BPDXV6T1

更新时间： 2024-11-15 21:55:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 99K
描述
Dual General Purpose Transistor

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BC847BPDXV6T1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.34最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC847BPDXV6T1 数据手册

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BC847BPDXV6T1,  
BC847BPDXV6T5  
Dual General Purpose  
Transistor  
NPN/PNP Dual (Complimentary)  
http://onsemi.com  
This transistor is designed for general purpose amplifier  
applications. It is housed in the SOT-563 which is designed for low  
power surface mount applications.  
(3)  
(2)  
(1)  
Q
• Lead-Free Solder Plating  
Q
MAXIMUM RATINGS - NPN  
1
2
Rating  
Symbol  
Value  
45  
Unit  
V
Collector- Emitter Voltage  
Collector- Base Voltage  
Emitter- Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
(4)  
(5)  
(6)  
50  
V
BC847BPDX6T1  
6.0  
V
Collector Current -  
Continuous  
I
C
100  
mAdc  
4
5
6
3
2
1
MAXIMUM RATINGS - PNP  
Rating  
Symbol  
Value  
-45  
Unit  
V
SOT-563  
CASE 463A  
PLASTIC  
Collector- Emitter Voltage  
Collector- Base Voltage  
Emitter- Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
-50  
V
-5.0  
-100  
V
MARKING DIAGRAM  
Collector Current -  
Continuous  
I
C
mAdc  
4F D  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
(One Junction Heated)  
4F = Specific Device Code  
= Date Code  
Symbol  
Max  
Unit  
D
Total Device Dissipation T = 25°C  
P
D
357  
(Note 1)  
2.9  
A
mW  
Derate above 25°C  
mW/°C  
ORDERING INFORMATION  
(Note 1)  
Thermal Resistance -  
Junction-to-Ambient  
R
350  
(Note 1)  
°C/W  
q
JA  
Device  
Package  
Shipping  
BC847BPDXV6T1 SOT-563  
4 mm pitch  
4000/Tape & Reel  
Characteristic  
(Both Junctions Heated)  
Symbol  
Max  
Unit  
BC847BPDXV6T5 SOT-563  
2 mm pitch  
8000/Tape & Reel  
Total Device Dissipation  
P
D
500  
(Note 1)  
4.0  
T = 25°C  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
(Note 1)  
Thermal Resistance -  
Junction-to-Ambient  
R
250  
(Note 1)  
°C/W  
°C  
q
JA  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J
- 55 to +150  
stg  
1. FR-4 @ Minimum Pad  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
1
Publication Order Number:  
March, 2003 - Rev. 0  
BC847BPDXV6T1/D  
12345678

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BC847BPDXV6T1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC847BPDXV6T5G ONSEMI

完全替代

 Dual General Purpose Transistor
BC847BPDXV6T5 ONSEMI

完全替代

 Dual General Purpose Transistor
BC847BPDXV6T1G ONSEMI

功能相似

 Dual General Purpose Transistor

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC847BPDXV6T1_05 ONSEMI

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 		Dual General Purpose Transistor
BC847BPDXV6T1D ONSEMI

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BC847BPN,115 ETC

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 		TRANS NPN/PNP 45V 0.1A 6TSSOP
BC847BPN,125 ETC

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 		TRANS NPN/PNP 45V 0.1A 6TSSOP

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