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Datasheet > 暂无类别数据> BC847BPDXV6T5G
BC847BPDXV6T5G PDF预览

BC847BPDXV6T5G

更新时间： 2024-11-16 06:41:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 77K
描述
Dual General Purpose Transistor

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BC847BPDXV6T5G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.3
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC847BPDXV6T5G 数据手册

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BC847BPDXV6T1,  
BC847BPDXV6T5  
Dual General Purpose  
Transistor  
NPN/PNP Dual (Complementary)  
http://onsemi.com  
This transistor is designed for general purpose amplifier  
applications. It is housed in the SOT−563 which is designed for low  
power surface mount applications.  
(3)  
(2)  
(1)  
Q
• Lead−Free Solder Plating  
MAXIMUM RATINGS − NPN  
Q
1
2
Rating  
Symbol  
Value  
45  
Unit  
V
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
(4)  
(5)  
(6)  
50  
V
BC847BPDX6T1  
6.0  
V
Collector Current −  
Continuous  
I
C
100  
mAdc  
4
5
6
MAXIMUM RATINGS − PNP  
Rating  
3
2
1
Symbol  
Value  
−45  
Unit  
V
SOT−563  
CASE 463A  
PLASTIC  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
−50  
V
−5.0  
−100  
V
MARKING DIAGRAM  
Collector Current −  
Continuous  
I
C
mAdc  
4F MG  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
G
1
4F = Specific Device Code  
M
= Month Code  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
(One Junction Heated)  
Symbol  
Max  
Unit  
ORDERING INFORMATION  
Total Device Dissipation T = 25°C  
P
D
357  
(Note 1)  
2.9  
A
mW  
mW/°C  
†
Device  
Package  
Shipping  
Derate above 25°C  
(Note 1)  
BC847BPDXV6T1 SOT−563  
4 mm pitch  
4000/Tape & Reel  
Thermal Resistance −  
Junction-to-Ambient  
R
350  
(Note 1)  
°C/W  
q
JA  
BC847BPDXV6T1G SOT−563  
2 mm pitch  
(Pb−Free) 4000/Tape & Reel  
Characteristic  
(Both Junctions Heated)  
Symbol  
Max  
Unit  
BC847BPDXV6T5 SOT−563  
4 mm pitch  
8000/Tape & Reel  
Total Device Dissipation  
P
D
500  
(Note 1)  
4.0  
T = 25°C  
mW  
mW/°C  
A
BC847BPDXV6T5G SOT−563  
2 mm pitch  
(Pb−Free) 8000/Tape & Reel  
Derate above 25°C  
(Note 1)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Thermal Resistance −  
Junction-to-Ambient  
R
250  
(Note 1)  
°C/W  
°C  
q
JA  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J
−55 to +150  
stg  
1. FR−4 @ Minimum Pad  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
September, 2005 − Rev. 1  
BC847BPDXV6T1/D  
 
12345678

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BC847BPDXV6T5G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC847BPDXV6T5 ONSEMI

完全替代

 Dual General Purpose Transistor
BC847BPDXV6T1 ONSEMI

完全替代

 Dual General Purpose Transistor
BC847BPDXV6T1G ONSEMI

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