BC847AW

更新时间： 2024-11-24 22:53:59

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
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2页	125K
描述
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

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BC847AW 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	0.59	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	110
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BC847AW 数据手册

BC 846W ... BC 850W

NPN

General Purpose Transistors

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

NPN

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

Power dissipation – Verlustleistung

200 mW

SOT-323

±0.1

Plastic case

0.3

Kunststoffgehäuse

Type

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Code

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.3

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions / Maße in mm

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BC 846W

BC 847W

BC 848W

BC 850W

BC 849W

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (DC)

B open

E open

C open

V_CE0

V_CB0

V_EB0

P_tot

65 V

80 V

6 V

45 V

50 V

30 V

5 V

200 mW ¹)

100 mA

200 mA

I_C

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom I_CM

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

I_BM

- I_EM

T_j

150

ꢀC

T_S

- 65…+ 150 C

ꢀ

Characteristics (T_j= 25ꢀC)

Kennwerte (T_j= 25ꢀC)

Group A

Group B

Group C

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

V_CE= 5 V, I_C= 10

V_CE= 5 V, I_C= 2 mA

ꢀ

h_FE

typ. 90

110...220

typ. 150

200...450

typ. 270

420...800

h-Parameters at V_CE= 5V, I_C= 2 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain – Stromverstärkung h_fe

typ. 220

typ. 330

typ. 600

Input impedance – Eingangs-Impedanz

Output admittance – Ausgangs-Leitwert

h_ie

h_oe

1.6...4.5 k

ꢁ

3.2...8.5 k

ꢁ

6...15 k

60 < 110

ꢁ

18 < 30

ꢀ

30 < 60

ꢀ

Reverse voltage transfer ratio

Spannungsrückwirkung

h_re

typ.1.5 *10^-4

typ. 2 *10^-4

typ. 3 *10^-4

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

Tested with pulses t_p= 300 ꢀs, duty cycle ꢀ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 ꢀs, Schaltverhältnis ꢀ 2%

01.11.2003

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BC847AW 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC847CW	DIOTEC	完全替代	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC847BW	DIOTEC	完全替代	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC847C	DIOTEC	功能相似	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

与BC847AW相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC847AW,115	ETC	获取价格	TRANS NPN 45V 0.1A SOT323
BC847AW,135	ETC	获取价格	TRANS NPN 45V 0.1A SOT323
BC847AW/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-70, 3 PIN, BIP Gene
BC847AW-13	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
BC847AW-7	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 45V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-323
BC847AW-7-F	DIODES	获取价格	NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC847AW-AU	PANJIT	获取价格	SOT-323
BC847AWE6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BC847AWE6433	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BC847AW-G	DIODES	获取价格	Small Signal Transistor

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