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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC847B
BC847B PDF预览

BC847B

更新时间： 2024-11-15 06:41:39
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 晶体晶体管光电二极管IOT
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2页 452K
描述
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(NPN)

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BC847B 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMD, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.01最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：265
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC847B 数据手册

 浏览型号BC847B的Datasheet PDF文件第2页 
BC847B  
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS  
TRANSISTOR(NPN)  
FEATURES  
* Power dissipation  
PCM :  
0.225  
W (Tamb=25OC) Note1  
Collector current  
ICM :  
Collector-base voltage  
*
*
*
0.1  
50  
A
V
:
V
CBO  
SOT-23  
Operating and storage junction temperature range  
T ,Tstg: -55OC to +150OC  
J
COLLECTOR  
3
0.055(1.40)  
0.047(1.20)  
BASE  
MECHANICAL DATA  
* Case: Molded plastic  
1
2
EMITTER  
* Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
0.006(0.15)  
0.003(0.08)  
0.043(1.10)  
0.035(0.90)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
0.004(0.10)  
0.000(0.00)  
* Weight: 0.008 gram  
0.100(2.55)  
0.089(2.25)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
1
2
0.019(2.00)  
0.071(1.80)  
0.118(3.00)  
0.110(2.80)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25OC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
3
Dimensions in inches and (millimeters)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( @ TA = 25oC unless otherwise noted )  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
MIN  
50  
45  
6
MAX  
-
UNITS  
V
CBO  
Collector - base breakdown voltage (I = 10µA, I =0)  
V
V
V
C
E
-
-
Collector - emitter breakdown voltage (I = 10mA, I =0)  
C
B
V
V
CEO  
Emitter - base breakdown voltage (I = 10µA, I =0)  
EBO  
E
C
Collector cut - off current (V = 50V, I =0)  
I
-
0.1  
µA  
µA  
µA  
-
CB  
E
CBO  
Collector cut - off current (V = 45V, I =0)  
I
-
0.1  
0.1  
450  
0.5  
CE  
B
CEO  
Emitter cut - off current (V = 5V, I =0)  
I
-
200  
-
EB  
C
EBO  
DC current gain (V = 5V, I = 2mA)  
h
CE  
C
FE(1)  
Collector - emitter saturation voltage (I = 100mA, I = 5mA)  
V
V
C
B
CE(sat)  
BE(sat)  
Base - emitter saturation voltage (I = 100mA, I = 5mA)  
V
-
1.1  
-
V
C
B
Transition frequency (V = 5V, I = 10mA, f= 100MHZ)  
100  
MHZ  
f
T
CE  
C
DEVICE MARKING  
BC847B  
1F  
2007-3  
Notes: 1. Transistor mounted on an FR4 Printed-circuit board.  
2. “Fully ROHS compliant”, “100% Sn plating (Pb-free)”.  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC847B(SOT-23) UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN
BC847B,215 ETC

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 		TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
BC847B,235 ETC

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 		TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
BC847B.215 NXP

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 		45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
BC847B.235 NXP

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 		45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
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 		45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
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 		45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors; Package: SOT23 (TO-236AB); Container: Tape r
BC847B/DG/B3,215 ETC

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 		TRANS GEN PURPOSE TO-236AB
BC847B/E8 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BC847B/E9 VISHAY

获取价格

 		Transistor

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