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BC847BDE

更新时间： 2024-10-02 14:53:07

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先科 - SWST		晶体管
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5页	239K
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小信号晶体管

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BC847BDE 数据手册

BC847BDE

Dual NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors

TR1

TR2

TR1: 1. Emitter 2. Base 6. Collector

TR2: 4. Emitter 5. Base 3. Collector

SOT-563 Plastic package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

100

Collector Current

℃

Power Dissipation ¹⁾

P_tot

150

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

833

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 13/01/2023 Rev: 03

12 3 4 5

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