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BC817-T

更新时间： 2024-11-11 21:08:43

品牌	Logo	应用领域
RECTRON		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	42K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

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BC817-T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SOT-23, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.01
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	265	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC817-T 数据手册

BC817

TECHNICAL SPECIFICATION

NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor

BASE

Dimensions SOT-23

EMITTER

COLLECTOR

Absolute Maximun Ratings (Ta=25^oC unless specified otherwise)

Desription

SYMBOL

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_C

VALUE

UNITS

Collector-Emitter Voltage

(V_BE= 0V)

Collector Emitter Voltage (open base) I_C= 10mA

Emitter Base Voltage

Collector Current (DC)

500

Collector Current - Peak

I_CM

1000

100

Emitter Current - Peak

(-I_EM

I_B

)

Base Current - (DC)

Base Current - Peak

I_BM

P_tot

T_stg

T_J

200

Total Power Dissipation up to T_amb= 25 °C

Storage Temperature

250

(-55 to +150)

150

Junction Temperature

Thermal Resistance

R_th(j-a)

From junction to ambient

500

k / W

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