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BC817W

更新时间: 2024-11-10 22:48:15
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 53K
描述
NPN general purpose transistor

BC817W 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SC-70
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.08最大集电极电流 (IC):0.5 A
基于收集器的最大容量:5 pF集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzVCEsat-Max:0.7 V
Base Number Matches:1

BC817W 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BC817W  
NPN general purpose transistor  
1999 Apr 15  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Mar 05  

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BC817; BC817W; BC337 - 45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors SC-70 3-Pin
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