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BC817W-25

更新时间： 2024-02-14 02:04:19

品牌	Logo	应用领域
德欧泰克 - DIOTEC		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	102K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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BC817W-25 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.31
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	170 MHz	VCEsat-Max：	0.7 V
Base Number Matches：	1

BC817W-25 数据手册

BC817W / BC818W

Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage

NPN

Version 2010-10-22

Power dissipation – Verlustleistung

200 mW

SOT-323

2^±0.1

1^±0.1

Plastic case

Kunststoffgehäuse

0.3

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.3

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions - Maße [mm]

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

BC817W

BC818W

30 V

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open

V_CES

V_CEO

V_EBO

P_tot

I_C

50 V

45 V

25 V

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

C open

5 V

200 mW ¹)

500 mA

1 A

Collector current – Kollektorstrom (dc)

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

I_CM

I_EM

1 A

I_BM

200 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

V_CE= 1 V, I_C= 100 mA

Group -16

Group -25

Group -40

h_FE

100

160

250

–

250

400

600

V_CE= 1 V, I_C= 500 mA

all groups

h_FE

–

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. ²)

I_C= 500 mA, I_B= 50 mA

V_CEsat

–

0.7 V

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

Tested with pulses t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

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与BC817W-25相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC817W-40	KEXIN	NPN Transistors	获取价格
BC817W-AH	SWST	小信号晶体管	获取价格
BC817W-Q	NEXPERIA	45 V, 500 mA NPN general-purpose transistorsProduction	获取价格
BC817W-T	NXP	TRANSISTOR 500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-70, 3 PIN, BIP Gene	获取价格
BC817WT/R	NXP	TRANSISTOR 500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-70, 3 PIN, BIP Gene	获取价格
BC817W-TAPE-13	NXP	TRANSISTOR 500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa	获取价格

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