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BC817W PDF预览

BC817W

更新时间： 2024-11-11 08:49:43
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2页 38K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

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BC817W 技术参数

生命周期：Not Recommended包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.11最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC817W 数据手册

 浏览型号BC817W的Datasheet PDF文件第2页 
SEMICONDUCTOR  
BC817W  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
GENERAL PURPOSE APPLICATION.  
SWITCHING APPLICATION.  
E
FEATURES  
M
B
M
Complementary to BC807W.  
DIM MILLIMETERS  
_
+
2.00 0.20  
A
B
C
D
E
D
2
1
_
1.25+0.15  
_
+
0.90 0.10  
3
0.3+0.10/-0.05  
_
+
2.10 0.20  
G
H
J
0.65  
0.15+0.1/-0.06  
1.30  
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
SYMBOL RATING  
UNIT  
V
K
L
0.00~0.10  
0.70  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
50  
45  
H
M
N
0.42  
0.10 MIN  
V
N
N
K
5
V
Collector Current  
500  
mA  
mA  
mW  
1. EMITTER  
2. BASE  
IE  
Emitter Current  
-500  
100  
3. COLLECTOR  
PC  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Tj  
150  
USM  
Tstg  
-55 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-off Current  
SYMBOL  
ICBO  
IEBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
A
VCB=20V, IE=0  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
0.1  
0.1  
630  
-
VEB=5V, IC=0  
Emitter Cut-off Current  
A
hFE(1)  
hFE(2)  
VCE(sat)  
VBE  
VCE=1V, IC=100mA  
VCE=1V, IC=500mA  
IC=500mA, IB=50mA  
VCE=1V, IC=500mA  
VCE=5V, IC=10mA, f=100MHz  
VCB=10V, IE=0, f=1MHz  
100  
40  
-
DC Current Gain (Note)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Voltage  
0.7  
1.2  
-
V
V
-
fT  
Transition Frequency  
100  
-
MHz  
pF  
Cob  
Collector Output Capacitance  
-
Note : hFE(1) Classification 16:100 250 , 25:160 400 , 40:250 630  
Marking  
Lot No.  
MARK SPEC  
TYPE  
BC817W-16  
2M  
BC817W-25  
2N  
BC817W-40  
2R  
Type Name  
MARK  
2008. 9. 2  
Revision No : 0  
1/2  
12

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与BC817W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC817W,115 NXP

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 		BC817; BC817W; BC337 - 45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors SC-70 3-Pin
BC817W,135 NXP

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 		BC817; BC817W; BC337 - 45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors SC-70 3-Pin
BC817W/T3 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-70, 3 PIN, BIP Gene
BC817W_15 KEXIN

获取价格

 		NPN Transistors
BC817W-16 KEXIN

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 		NPN Transistors
BC817W-25 DIOTEC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
BC817W-25 KEXIN

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BC817W-40 KEXIN

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 		NPN Transistors
BC817W-AH SWST

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 		小信号晶体管
BC817W-Q NEXPERIA

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 		45 V, 500 mA NPN general-purpose transistorsProduction

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