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BC817U-6433

更新时间： 2024-10-01 19:25:23

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Transistor

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BC817U-6433 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	100	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.33 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

BC817U-6433 数据手册

BC817U

NPN Silicon Transistor Array

For AF input stages and driver applications

High current gain

Low collector-emitter saturation voltage

Two ( galvanic) internal isolated Transistors

with good matching in one package

VPW09197

TR2

TR1

EHA07178

Type

Marking

Pin Configuration

1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1

Package

SC74

BC817U

6Bs

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

DC collector current

Peak collector current

Base current

CEO

CBO

EBO

500

100

200

330

150

Peak base current

°C

Total power dissipation, T = 115 °C

tot

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

Thermal Resistance

Junction - soldering point

105

K/W

thJS

For calculation of R

thJA

please refer to Application Note Thermal Resistance

Nov-29-2001

12 3 4 5 6

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