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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC817-40-AE3-R
BC817-40-AE3-R PDF预览

BC817-40-AE3-R

更新时间： 2024-01-14 18:11:59
品牌 Logo 应用领域
友顺 - UTC 晶体放大器小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 462K
描述
NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER

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BC817-40-AE3-R 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.11
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：250JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BC817-40-AE3-R 数据手册

 浏览型号BC817-40-AE3-R的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BC817-40-AE3-R的Datasheet PDF文件第3页 
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(TJ=25 C,unless otherwise notes)  
PARAMETER  
SYMBOL  
MIN.  
TYP.  
MAX. UNIT  
V
(BR)CEO  
(BR)CES  
45  
50  
5.0  
-
-
-
-
-
-
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Ic=10mA, IB=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage (VEB=0V, Ic=10uA  
Emitter-Base Breakdown Voltage (IE=1.0uA,Ic=0)  
Emitter-Base Cutoff Current (VEB=5V)  
V
-
-
V
(BR)EBO  
V
I
I
EBO  
100  
nA  
Collector-Base Cutoff Current (VCB=20V,I  
E
=0)  
100  
5.0  
nA  
uA  
-
-
CBO  
-
J =150OC  
T
-
-
-
DC Current Gain  
(Ic=100mA,VCE=1V)  
BC817-16  
BC817-25  
BC817-40  
100  
160  
250  
250  
400  
600  
hFE  
-
40  
-
-
(Ic=500mA,Vc  
Collector-Emitter Saturation Voltage (Ic=500mA ,IB  
Base-Emitte Voltage (Ic=500mA,VCE 1.0V)  
Collector-Base Capacitance (VCB=10v,I =0,f=1MHz)  
Current Gain-Bandwidth Product (Ic=10mA,VcE=5V,f=100MHz)  
E=1V)  
=50mA)  
V
CE(SAT)  
-
-
-
0.7  
1.2  
-
V
V
=
V
BE(ON)  
-
-
E
C
CBO  
5.0  
-
pF  
MHz  
fT  
100  
-
ELECTRICAL CHARACTERISTICS CURVES  
300  
250  
200  
150  
100  
450  
400  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
50  
VCE = 1V  
VCE = 1V  
0
0
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
Collector Current, IC (mA)  
Collector Current, IC (mA)  
Fig. 1. BC817-16 Typical hFE vs. IC  
Fig. 2. BC817-25 Typical hFE vs. IC  
700  
100  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
CIB (EB)  
10  
COB (EB)  
VCE = 1V  
1
0.1  
1
10  
100  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
Reverse Voltage, V (V)  
Collector Current, IC (mA)  
R
Fig. 3. BC817-40 Typical hFE vs. IC  
Fig. 4. Typical Capacitances  
STAD-JUL.13.2005  
PAGE . 2  
123

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