BC817-25QA

更新时间： 2024-02-22 18:04:55

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
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15页	211K
描述
45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors

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BC817-25QA 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.55
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	170 MHz
Base Number Matches：	1

BC817-25QA 数据手册

BC817-25QA; BC817-40QA

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45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors

Rev. 1 — 3 September 2013

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

500 mA NPN general-purpose transistors in a leadless ultra small

DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible

and solderable side pads.

Table 1.

Product overview

Type number

Package

NXP

PNP complement

JEITA

BC817-25QA

BC817-40QA

DFN1010D-3

(SOT1215)

BC807-25QA

BC807-40QA

1.2 Features and benefits

 General-purpose transistor

 Two current gain selections

 Low package height of 0.37 mm

 AEC-Q101 qualified

1.3 Applications

 General-purpose switching and amplification

 Mobile applications

1.4 Quick reference data

Table 2.

Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ

Max Unit

V_CEO

I_C

collector-emitter voltage open base

collector current

500

[1]

h_FE

DC current gain

BC817-25QA

BC817-40QA

V_CE= 1 V; I_C= 100 mA

160

250

400

600

[1] Pulse test: t_p 300 s;   0.02.

12 3 4 5 6 7...15

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