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BC817-25W

更新时间： 2024-01-22 15:29:09

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管开关光电二极管
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5页	94K
描述
NPN Silicon AF Transistor (For general AF applications High collector current High current gain)

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BC817-25W 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.55
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	170 MHz
Base Number Matches：	1

BC817-25W 数据手册

BC 817-16W

NPN Silicon AF Transistor

• For general AF applications

• High collector current

• High current gain

• Low collector-emitter saturation voltage

• Complementary types: BC807W, BC808W (PNP)

Type

Marking Ordering Code

Pin Configuration

Package

SOT-323

BC 817-16W 6As

BC 817-25W 6Bs

BC 817-40W 6Cs

BC 818-16W 6Es

BC 818-25W 6Fs

BC 818-40W 6Gs

Q62702-C2320

Q62702-C2278

Q62702-C2321

Q62702-C2322

Q62702-C2323

Q62702-C2324

1 = B

2 = E

3 = C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

BC 817 W

CEO

CBO

EBO

BC 818 W

Collector-base voltage

BC 817 W

BC 818 W

Emitter-base voltage

DC collector current

Peak collector current

Base current

500

100

°C

Total power dissipation, T = 130°C

250

tot

Junction temperature

Storage temperature

150

- 65 ... + 150

stg

Thermal Resistance

≤

Junction ambient

215

K/W

thJA

Junction - soldering point

thJS

1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 0.5cm²Cu

Semiconductor Group

Dec-19-1996

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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BC817-25W,135	ETC	TRANS NPN 45V 0.5A SOT323	获取价格
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