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BC807-40LT1

更新时间： 2024-11-24 22:48:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 63K
描述
General Purpose Transistors(PNP Silicon)

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BC807-40LT1 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：6.79最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：250JEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BC807-40LT1 数据手册

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BC807−16LT1,  
BC807−25LT1, BC807−40LT1  
General Purpose  
Transistors  
PNP Silicon  
http://onsemi.com  
Features  
COLLECTOR  
3
• Pb−Free Packages are Available  
1
BASE  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector - Emitter Voltage  
Collector - Base Voltage  
Emitter - Base Voltage  
Symbol  
Value  
−45  
Unit  
V
2
EMITTER  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
−50  
V
−5.0  
−500  
V
MARKING  
DIAGRAM  
Collector Current − Continuous  
I
C
mAdc  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
3
3
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 6  
xxxD  
1
2
1
2
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
xxx  
D
= 5A (BC807−16LT1)  
5B1 (BC807−25LT1)  
5C (BC807−40LT1)  
= Date Code  
Total Device Dissipation FR−5 Board,  
(Note 1) T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Total Device Dissipation Alumina Substrate,  
R
556  
°C/W  
q
JA  
P
D
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
(Note 2) T = 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
417  
°C/W  
°C  
q
JA  
T , T  
J
−55 to  
+150  
stg  
1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in 99.5% alumina.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
June, 2004 − Rev. 5  
BC807−16LT1/D  
 
1234

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BC807-40LT1 替代型号

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