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BC807-25LT

更新时间： 2024-02-04 17:41:12

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4页	93K
描述
PNP Silicon General Purpose Transistors

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BC807-25LT 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.56	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.7 V	Base Number Matches：	1

BC807-25LT 数据手册

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by BC807–16LT1/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

PNP Silicon

COLLECTOR

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

Rating

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Symbol

Value

Unit

CEO

CBO

EBO

–45

–50

CASE 318–08, STYLE 6

SOT–23 (TO–236AB)

Emitter–Base Voltage

–5.0

–500

Collector Current — Continuous

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

mAdc

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR–5 Board, (1)

= 25°C

225

1.8

mW/°C

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

556

°C/W

Alumina Substrate, (2) T = 25°C

300

2.4

mW/°C

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

DEVICE MARKING

417

°C/W

°C

T , T

J stg

–55 to +150

BC807–16LT1 = 5A; BC807–25LT1 = 5B; BC807–40LT1 = 5C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

OFF CHARACTERISTICS

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I = –10 mA)

–45

–50

–5.0

—

(BR)CEO

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(BR)CES

(BR)EBO

= 0, I = –10 µA)

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I = –1.0 A)

Collector Cutoff Current

CBO

= –20 V)

= –20 V, T = 150°C)

—

–100

–5.0

µA

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

Motorola, Inc. 1996

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