BC807-25LT3G

更新时间： 2024-01-10 16:24:16

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管
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10页	113K
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General Purpose Transistors

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BC807-25LT3G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	0.65
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BC807-25LT3G 数据手册

BC807-16LT1G,

BC807-25LT1G,

BC807-40LT1G

General Purpose

Transistors

http://onsemi.com

PNP Silicon

COLLECTOR

Features

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

BASE

MAXIMUM RATINGS

EMITTER

Rating

Symbol

Value

−45

Unit

Collector − Emitter Voltage

Collector − Base Voltage

Emitter − Base Voltage

CEO

CBO

EBO

−50

−5.0

−500

Collector Current − Continuous

mAdc

SOT−23

CASE 318

STYLE 6

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR−5 Board,

(Note 1) T = 25°C

Derate above 25°C

225

1.8

mW/°C

MARKING DIAGRAM

Thermal Resistance,

556

°C/W

Junction−to−Ambient

5xx M G

Total Device Dissipation Alumina

Substrate, (Note 2) T = 25°C

300

2.4

mW/°C

Derate above 25°C

Thermal Resistance,

Junction−to−Ambient

417

°C/W

5xx = Device Code

xx = A1, B1, or C

Junction and Storage Temperature

T , T

−55 to +150

°C

stg

= Date Code*

= Pb−Free Package

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum

Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended

Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the

Recommended Operating Conditions may affect device reliability.

1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

(Note: Microdot may be in either location)

*Date Code orientation and/or overbar may

vary depending upon manufacturing location.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in 99.5% alumina.

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 2 of this data sheet.

Publication Order Number:

October, 2010 − Rev. 9

BC807−16LT1/D

12 3 4 5 6 7...10

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BC807-25LT3G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SBC807-25LT1G	ONSEMI	类似代替	General Purpose Transistors
BC807-25LT1	ONSEMI	类似代替	General Purpose Transistors(PNP Silicon)
BC807-25LT1G	ONSEMI	类似代替	General Purpose Transistors(PNP Silicon)

与BC807-25LT3G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC807-25LVL	ETC	获取价格	BC807-25L/SOT23/TO-236AB
BC807-25LW	NEXPERIA	获取价格	45 V, 500 mA PNP general-purpose transistorsProduction
BC807-25LWF	ETC	获取价格	TRANS PNP 45V 0.5A SOT323
BC807-25LWX	ETC	获取价格	TRANS PNP 45V 0.5A SOT323
BC807-25LZ	ETC	获取价格	BC807-25L/SOT23/TO-236AB
BC807-25-MR	ETC	获取价格	TRANSISTOR BC807-25 MINIREEL 500PCS
BC80725MTF	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BC80725MTF	ROCHESTER	获取价格	800mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC80725MTF	ONSEMI	获取价格	PNP外延硅晶体管
BC80725MTF_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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