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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.56 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.7 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC807-25W | HTSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR (PNP) |
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| BC807-25W | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistors |
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| BC807-25W | TSC |
获取价格 |
200mW, PNP Small Signal Transistor |
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| BC807-25W | NEXPERIA |
获取价格 |
45 V, 500 mA PNP general-purpose transistorsProduction |
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| BC807-25W | NXP |
获取价格 |
PNP general purpose transistor |
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| BC807-25W | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon AF Transistor (For general AF applications High collector current High current |
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| BC807-25W | DIOTEC |
获取价格 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
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| BC807-25W | DIODES |
获取价格 |
PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
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| BC807-25W | WEITRON |
获取价格 |
General Purpose Transistor PNP Silicon |
|
| BC807-25W | SECOS |
获取价格 |
PNP Plastic Encapsulate Transistor |
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