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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC80725MTF_NL
BC80725MTF_NL PDF预览

BC80725MTF_NL

更新时间： 2024-09-24 13:05:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关放大器
页数 文件大小 规格书
6页 74K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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BC80725MTF_NL 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.18Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.8 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC80725MTF_NL 数据手册

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BC807/BC808  
Switching and Amplifier Applications  
•
•
Suitable for AF-Driver stages and low power output stages  
Complement to BC817/BC818  
3
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
CES  
: BC807  
: BC808  
-50  
-30  
V
V
CEO  
EBO  
: BC807  
: BC808  
-45  
-25  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
-5  
-800  
V
I
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
-310  
C
T
T
150  
J
-65 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
I = -10mA, I =0  
CEO  
CES  
EBO  
C
B
: BC807  
: BC808  
-45  
-25  
V
V
BV  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
I = -0.1mA, V =0  
C BE  
: BC807  
: BC808  
-50  
-30  
V
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
I = -0.1mA, I =0  
-5  
V
E
C
I
I
V
= -25V, V =0  
-100  
-100  
630  
nA  
nA  
CES  
EBO  
CE  
EB  
BE  
V
= -4V, I =0  
C
h
h
V
V
= -1V, I = -100mA  
100  
60  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= -1V, I = -300mA  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I = -500mA, I = -50mA  
-0.7  
-1.2  
V
V
CE  
C
B
V
= -1V, I = -300mA  
C
BE  
CE  
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
= -5V, I = -10mA  
100  
MHz  
T
CE  
C
f=50MHz  
C
Output Capacitance  
V
= -10V, f=1MHz  
12  
pF  
ob  
CB  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, August 2002  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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