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BC807-25LT1 PDF预览

BC807-25LT1

更新时间： 2024-01-21 02:16:24
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 52K
描述
General Purpose Transistors(PNP Silicon)

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BC807-25LT1 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.61
Samacsys Confidence：2Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：249737Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Transistor BJT PNPSamacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOT-23 (TO-236) CASE 318-08 ISSUE AR_1Samacsys Released Date：2018-02-23 12:08:31
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：160JEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC807-25LT1 数据手册

 浏览型号BC807-25LT1的Datasheet PDF文件第2页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
GeneralPurposeTransistors  
PNP Silicon  
BC807-16LT1  
BC807-25LT1  
BC807-40LT1  
3
COLLECTOR  
2
BASE  
1
EMITTER  
3
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
V CEO  
V CBO  
V EBO  
I C  
Value  
–45  
Unit  
1
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current — Continuous  
V
V
2
–50  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AB)  
–5.0  
–500  
V
mAdc  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)  
TA = 25°C  
P D  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
°C/W  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R θJA  
P D  
556  
Alumina Substrate, (2) TA = 25°C  
Derate above 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R θJA  
417  
T J , T stg  
–55 to +150  
°C  
DEVICE MARKING  
BC807–16LT1 = 5A; BC807–25LT1 = 5B; BC807–40LT1 = 5C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted.)  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(IC = –10 mA)  
V (BR)CEO  
–45  
–50  
–5.0  
—
—
—
—
—
—
V
V
V
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(VEB = 0, I C = –10µA)  
V (BR)CES  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(IE = –1.0 µA)  
V (BR)EBO  
I CBO  
Collector Cutoff Current  
(VCB = –20 V)  
—
—
—
—
–100  
–5.0  
nA  
(VCB = –20 V, T J = 150°C)  
µA  
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
M1–1/2  
12

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