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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC640RLRM
BC640RLRM PDF预览

BC640RLRM

更新时间： 2024-10-26 13:05:51
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管开关PC
页数 文件大小 规格书
4页 120K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

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BC640RLRM 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.65
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：1.5 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

BC640RLRM 数据手册

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by BC636/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
2
3
BASE  
1
EMITTER  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
3
BC  
BC  
BC  
636  
–45  
–45  
638  
640  
–80  
–80  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
CASE 29–04, STYLE 14  
TO–92 (TO–226AA)  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
–60  
–60  
–5.0  
–0.5  
Collector Current — Continuous  
I
C
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watt  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage*  
(I = –10 mAdc, I = 0)  
V
Vdc  
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
BC636  
BC638  
BC640  
–45  
–60  
–80  
—
—
—
—
—
—
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = –100 µAdc, I = 0)  
V
(BR)CBO  
BC636  
BC638  
BC640  
–45  
–60  
–80  
—
—
—
—
—
—
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 Adc, I = 0)  
V
–5.0  
—
—
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= –30 Vdc, I = 0)  
—
—
—
—
–100  
–10  
nAdc  
µAdc  
E
= –30 Vdc, I = 0, T = 125°C)  
E
A
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle 2.0%.  
Motorola, Inc. 1996  
1234

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与BC640RLRM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC640RLRP MOTOROLA

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 		500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC640T/R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
BC640-T/R NXP

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 		1000mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
BC640TA FAIRCHILD

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 		PNP Epitaxial Silicon Transistor
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 		PNP Epitaxial Silicon Transistor
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 		500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC640ZL1 ONSEMI

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