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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-92 | 包装说明： | LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.1 |
| 其他特性： | EUROPEAN PART NUMBER | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BC640TA | ONSEMI |
类似代替  |
PNP Bipolar Transistor |
|
| BC640TA | FAIRCHILD |
功能相似 |
PNP Epitaxial Silicon Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC646BDW1T1 | LRC |
获取价格 |
Dual General Purpose Transistors(NPN Duals) |
|
| BC647BDW1T1 | LRC |
获取价格 |
Dual General Purpose Transistors(NPN Duals) |
|
| BC647CDW1T1 | LRC |
获取价格 |
Dual General Purpose Transistors(NPN Duals) |
|
| BC648BDW1T1 | LRC |
获取价格 |
Dual General Purpose Transistors(NPN Duals) |
|
| BC648CDW1T1 | LRC |
获取价格 |
Dual General Purpose Transistors(NPN Duals) |
|
| BC650 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92 |
|
| BC650C | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92 |
|
| BC650CS | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92 |
|
| BC650S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92 |
|
| BC651 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92 |
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